MicroMemory - DDR3 - 2 GB - DIMM 240-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - ungepuffert - ECC

Kurzinfo: HyperX HyperX Savage - DDR3 - 8 GB : 2 x 4 GB - DIMM 240-PIN - 2400 MHz / PC3-19200 - CL11 - 1.65 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller HyperX Hersteller Art. Nr. HX324C11SRK2/8 Modell HyperX Savage EAN/UPC 0740617234619 Produktbeschreibung: HyperX HyperX Savage - DDR3 - 8 GB : 2 x 4 GB - DIMM 240-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB : 2 x 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC3-19200) Latenzzeiten CL11 (11-13-14) Leistungsmerkmale Single Rank, acht Bänke, Wärmeverteiler aus Aluminium, On-Die Termination (ODT), Intel Extreme Memory Profiles (XMP), Dualer Kanal, Black PCB, roter Wärmeverteiler, Low Profile-Wärmeverteiler, asymmetrical heatspreader , ungepuffert Spannung 1.65 V Metallüberzug Gold Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB : 2 x 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.29 Geschwindigkeit

High SpeedWith read & write speeds of up to 100MB/s and 90MB/s respectively, apps and videos load quicker and files transfer faster.Full HD VideoCapture the moments that matter. With the Samsung EVO Plus microSD Card, you can shoot rich and detailed Full HD videos on your smartphone, tablet, or camera and be confident that each memory will be safe. Play your videos back on your Full HD TV or monitor and relive the experience as vividly as the day it happened.WaterproofSamsung Memory Cards can survive up to 72 hours in seawater.Temperature-proofThese memory cards can endure temperatures from -25° to 85° Celsius.X-Ray-proofProtect all your data from damage caused by airport X-ray machines.Magnet-proofSamsung Memory Cards can even resist magnetic fields of up to 15,000 gauss—the equivalent of a high-field MRI scanner.A Perfect PartnerGet the most out of the latest smartphones, tablets and cameras. This memory card works perfectly with even the most advanced devices to protect your memories for life.

Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3 - 2 GB - SO DIMM 204-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - ungepuffert - nicht-ECC - für Sony VAIO S Series VPC-SB3M9E Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS2048SON-NB153 Modell EAN/UPC 4047762484385 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3 - 2 GB - SO DIMM 204-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 2 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Leistungsmerkmale Ungepuffert Entwickelt für Sony VAIO S Series VPC-SB3M9E Ausführliche Details Allgemein Kapazität 2 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO DIMM 204-PIN Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Ungepuffert Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Sony VAIO S Series VPC-SB3M9E

Der Artikel MS4096INT432 ist eine Speichererweiterung für INTEL DH57DD (Dan Dale), welcher ab Werk mit 0MB RAM ausgestattet ist. Das System INTEL DH57DD (Dan Dale) kann maximal auf 16GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 4 Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für INTEL DH57DD (Dan Dale) ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des Herstellers. Schneller,

HyperX HX316LS9IB/8 is a 1G x 64-bit (8GB) DDR3L-1600 CL9 SDRAM (Synchronous DRAM) 2Rx8, low voltage, memory module, based on sixteen 512M x 8-bit DDR3 FBGA components. This module has been tested to run at DDR3L-1600 at a low latency timing of 9-9-9 at 1.35V or 1.5V. Additional timing parameters are shown in the PnP Timing Parameters section below. Impact makes your game hotter while keeping your system cool. It has low voltage settings at 1.35V for less power consumption, reduced heat generation and quiet computing. Its slim, sleek new look lets you stand out in the crowd while the thin thermal label allows for installation in slim or ultra-slim notebooks. Best of all, HyperX Impact delivers high performance at a low cost. It's gamer-approved and backed by a lifetime warranty, free technical suppot and legendary liability. Key Features SO-DIMM form factor - features stylish and slim thermal label for an easy fit Easy to install - automatic overclocking; plug-and-play functionality means no adjustments in BIOS needed Eco-friendly - low voltage settings for cooler and quieter computing Reliable - 100-percent factory tested Guaranteed - lifetime warranty, free technical support Auto overclock up to 2400MHz Low voltage setting at 1.35V Slim and sleek new look compatible with ultra-thin notebooks Specifications Capacity: 8 GB Kit Configuration: 1 x 8 GB Speed: PC3-12800 (1600 MHz) Memory Type: DDR3L DIMM Type: 204-Pin SO-DIMM Buffered/Registered: No Error Correction (ECC): Non-ECC Voltage: 1.35/1.5 V CAS Latency: CL9 Memory Rank: Dual Rank Box Contents 1 x Kingston HX316LS9IB/8 Impact 8 GB 1600 MHz DDR3L CL9 SODIMM 1.35 V SODIMM Notebook Memory Module, Black

Kurzinfo: MemorySolutioN - Memory - 1 GB Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS1024MSI-NB11 Modell EAN/UPC 4047762235826 Produktbeschreibung: MemorySolutioN Memory - 1 GB Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 1 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Ausführliche Details Allgemein Kapazität 1 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM