MemorySolution - DDR2 - 1 GB - SO DIMM 200-PIN - 667 MHz / PC2-5300 - ungepuffert - nicht-ECC - für Toshiba Satellite A200, A300, L300, P200, T115, Satellite Pro A300, L300, Tecra A9, M9 (PA3512U-1M1G)
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RAM, 4GB, DDR3, SO-DIMM CORSAIR, RAM, SO-DIMM, DDR3, 4GB, 1333Mhz (CMSO4GX3M1A1333C9)
Kurzinfo: Corsair - Memory - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig - DDR3 - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Corsair Hersteller Art. Nr. CMSO4GX3M1A1333C9 EAN/UPC 0843591007146 Produktbeschreibung: Corsair Memory - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig - DDR3 Speicherkapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Speichergeschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Latenzzeiten CL9 (9-9-9-24) Leistungsmerkmale Ungepuffert Versorgungsspannung 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Speicherkapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Speichergeschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Latenzzeiten CL9 (9-9-9-24) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC RAM-Merkmale Ungepuffert Versorgungsspannung 1.5 V Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher - SO-DIMM, 204-polig
PHS-memory 32GB (2x16GB) Kit RAM Speicher für QNAP TS-2483XU-RP DDR4 UDIMM ECC 2400MHz (SP285457)
PHS-memory 32GB (2x16GB) Kit RAM Speicher für QNAP TS-2483XU-RP DDR4 UDIMM ECC 2400MHz (SP285457)
Seagate Game Drive (4TB) Game Pass Edition (weiß)
Nichts trübt das Gaming-Erlebnis bei Xbox One so sehr wie eine überlastete Festplatte. Erweitern Sie die Speicherkapazität Ihrer Konsole mittels Seagate® Game Drive für Xbox, d. h. mit der einzigen externen Festplatte, die speziell für Xbox One und Xbox 360 vorgesehen ist. Auf dieser schlanken Festplatte, die problemlos in Ihre Tasche passt, können Sie eine umfangreiche Spielesammlung und Download-Inhalte speichern und haben immer noch jede Menge Platz für neue fantastische Spiele übrig.
MemorySolutioN - DDR3 - 4GB - DIMM 240-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - registriert - für Fujitsu PRIMERGY RX200 S6, RX300 S6, TX200 S6, TX300 S6 (S26361-F3604-L514)
Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3 - 4 GB - DIMM 240-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - registriert - für Fujitsu PRIMERGY RX200 S6, RX300 S6, TX200 S6, TX300 S6 Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS4096FSC626 Modell EAN/UPC 4047762317980 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3 - 4 GB - DIMM 240-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Leistungsmerkmale Registriert Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Fujitsu S26361-F3604-L514 Entwickelt für Fujitsu PRIMERGY RX200 S6, RX300 S6, TX200 S6, TX300 S6 Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Fujitsu S26361-F3604-L514 Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Besonderheiten Registriert Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Fujitsu PRIMERGY RX200 S6, RX300 S6, TX200 S6, TX300
CORSAIR Vengeance LPX 32GB (2 x 16GB) DDR4 DRAM 2400MHz C16 1.2V (PC4-19200) 288-Pin Memory Kit CMK32GX4M2A2400C16 for AMD Ryzen (Black)
CORSAIR Vengeance LPX 32GB (2 x 16GB) DDR4 DRAM 2400MHz C16 1.2V (PC4-19200) 288-Pin Memory Kit CMK32GX4M2A2400C16 for AMD Ryzen (Black)
MicroMemory - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC
Kurzinfo: MicroMemory - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller MicroMemory Hersteller Art. Nr. MMST-204-DDR3-10600-256X8-4GB Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: MicroMemory - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Latenzzeiten CL9 Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO DIMM 204-PIN Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Latenzzeiten CL9 Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Ungepuffert Chip-Organisation 256 x 8 Spannung 1.5 V