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Kurzinfo: BTI - Laptop-Batterie - 1 x Lithium-Ionen 6 Zellen 5200 mAh - für Lenovo ThinkPad X200, X200s, X200si, X201, X201i, X201s Gruppe USV & Stromversorgungsgeräte Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. IB-X200 Modell BTI EAN/UPC 5055146569022 Produktbeschreibung: BTI - Laptop-Batterie - Li-Ion - 5200 mAh Gerätetyp Laptop-Batterie Batterie Lithium-Ionen 6 Zellen - 5200 mAh Anz. Batterien 1 Entwickelt für Lenovo ThinkPad X200, X200s, X200si, X201, X201i, X201s Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Laptop-Batterie Batterie Menge 1 Technologie 6 Zellen Lithium-Ionen Bereitgestellte Spannung 11.1 V Kapazität 5200 mAh Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Lenovo ThinkPad X200 Lenovo ThinkPad X200s Lenovo ThinkPad X200si Lenovo ThinkPad X201 Lenovo ThinkPad X201i Lenovo ThinkPad X201s

Contenu:Protecteur d'objectif de caméra 3,Protections d'écran3; Type:Protection Écran Protecteur D'objectif D'appareil Photo; Marque compatible:Apple; Fonction de protection d'écran:Haute Définition (HD); Matériau de protection d'écran:Verre Trempé; Quantité de protecteur d'écran:[Pack 33]; Date de l'annonce:01/17/2023; Mode de production:approvisionnement externe; Modèle compatible téléphone/tablette:iPhone 14 Pro Max Plus 13 12 11 Mini X XR XS 8 7; Type d'adaptation de produit:Téléphone Portable

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Kurzinfo: Transcend JetMemory - DDR3 - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - ungepuffert - nicht-ECC - für Apple Mac mini (Ende 2012, Mitte 2011), MacBook Pro Gruppe RAM Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS4GJMA324H Modell JetMemory EAN/UPC 0760557828594 Produktbeschreibung: Transcend JetMemory - DDR3 - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO-DIMM, 204-polig Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Leistungsmerkmale Single Rank , ungepuffert Spannung 1.5 V Entwickelt für Apple Mac mini (Ende 2012, Mitte 2011), MacBook Pro (Anfang 2011, Ende 2011, Mitte 2010, Mitte 2012) Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank , ungepuffert Chip-Organisation

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