PNY Elite Micro SD SDXC Memory Card Class10 100MB/s UHS-1 U1 with SD Adapter - 256GB
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HP 512MB DDR - 512 MB - 200-pin SO-DIMM - Color LaserJet 3000 - 3800 - 4650 - 4700 - 5550 - DDR - 1 x 512 MB - 1 Stück(e) (Q7723-67951)
Hauptmerkmale Funktionen Kapazität 512 MB Memory Formfaktor 200-pin SO-DIMM Kompatibilität Color LaserJet 3000, 3800, 4650, 4700, 5550 Interner Speichertyp DDR Speicherlayout 1 x 512 MB Verpackungsinformation Menge pro Packung 1 Stück(e)
SanDisk Extreme Pro - Flash-Speicherkarte - 512 GB
SanDisk Extreme Pro - Flash-Speicherkarte - 512 GB - CFast 2.0
Memory Solution MS8192DE577 - PC / Server - Grün - DELL PowerEdge R620 - R720 (MS8192DE577)
Der Artikel MS8192DE577 ist eine Speichererweiterung für DELL PowerEdge R620, R720, welcher ab Werk mit 2GB RAM ausgestattet ist. Das System DELL PowerEdge R620, R720 kann maximal auf 768GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 24 Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für DELL PowerEdge R620, R720 ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des Herstellers.
HyperX IMPACT 64GB (4x16GB) Memory Kit 2400MHz DDR4 Non-ECC CL15 260-Pin SODIMM 1.2V
... DDR4 FBGA components. Total kit capacity is 64GB. Each module supports Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP) 2.0. This module has been tested to run at DDR4-2400 at a low latency timing of 15-15-15 at 1.2V.FeaturesPower Supply: VDD=1.2V TypicalVDDQ = 1.2V TypicalVPP - 2.5V TypicalVDDSPD=2.2V to 3.6VOn-Die termination (ODT)16 internal banks; 4 groups of 4 banks eachBi-directional Differential Data Strobe8-bit pre-fetchBurst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop)Height 1.18 inches (30.00mm)Extra InfoMemory Size: 65536MBModule Size: 16384MBMemory Type: DDR4Memory Package: SO-DIMMDesignation: PC4-19200Pin Configuration: 260 pinsMain Colour: Black
MemorySolution - DDR2 - 1 GB - SO DIMM 200-PIN - 667 MHz / PC2-5300 - ungepuffert - nicht-ECC - für Toshiba Satellite A200, A300, L300, P200, T115, Satellite Pro A300, L300, Tecra A9, M9 (PA3512U-1M1G)
Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR2 - 1 GB - SO DIMM 200-PIN - 667 MHz / PC2-5300 - ungepuffert - nicht-ECC - für Toshiba Satellite A200, A300, L300, P200, T115, Satellite Pro A300, L300, Tecra A9, M9 Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS1024TOS-NB36 Modell EAN/UPC 4047762188474 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR2 - 1 GB - SO DIMM 200-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 1 GB Speichertyp DDR2 SDRAM - SO DIMM 200-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 667 MHz (PC2-5300) Leistungsmerkmale Ungepuffert Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Toshiba PA3512U-1M1G Entwickelt für Toshiba Portégé M400, M700, R500, Qosmio G30, G40, Satego P100, P200, X200, Satellite A200, A210, A300, L300, L300/C02, L300/D02, L300/F00, L40, P100, P200, P200/804, T115, U200, U300, X200, Satellite Pro A120, A200, A210, A300, L300, L40, P100, P200, U300, X200, Tecra A8, A9, M5, M7, M9, M9L, S5 Ausführliche Details Allgemein Kapazität 1 GB Erweiterungstyp
Kingston ValueRAM 8GB (1x8GB) 1333MHz DDR3 Non-ECC 204-Pin CL9 SODIMM Laptop Memory Module
... to JEDEC standard latency DDR3-1333 timing of 9-9-9 at 1.5V. This
204-pin SODIMM uses gold contact fingers.ValueRAM, Kingston's industry
standard memory, delivers award-winning performance and legendary Kingston
reliability. When you know what you want, you want ValueRAM.
Features
JEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply
VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
8 independent internal bank
Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave without any limit), 4 with tCCD = 4 which
does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or
MRS]
Bi-directional Differential Data Strobe
Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin
(RZQ : 240 ohm ± 1%)
On Die Termination using ODT pin
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
TCASE 95°
Asynchronous Reset
PCB: Height 1.18 inch (30mm), double sided component
Extra Info
Memory Size: 8192MB
Module Size: 8192MB
Memory Type: DDR3
Memory Package: SO-DIMM
Designation: PC3-10600
Pin Configuration: 204 pins
Main Colour: Green