MemorySolutioN - DDR3 - 4 GB - DIMM 240-PIN - ECC - für TAROX ParX T300c G4

High SpeedWith read & write speeds of up to 100MB/s and 90MB/s respectively, apps and videos load quicker and files transfer faster.Full HD VideoCapture the moments that matter. With the Samsung EVO Plus microSD Card, you can shoot rich and detailed Full HD videos on your smartphone, tablet, or camera and be confident that each memory will be safe. Play your videos back on your Full HD TV or monitor and relive the experience as vividly as the day it happened.WaterproofSamsung Memory Cards can survive up to 72 hours in seawater.Temperature-proofThese memory cards can endure temperatures from -25° to 85° Celsius.X-Ray-proofProtect all your data from damage caused by airport X-ray machines.Magnet-proofSamsung Memory Cards can even resist magnetic fields of up to 15,000 gauss—the equivalent of a high-field MRI scanner.A Perfect PartnerGet the most out of the latest smartphones, tablets and cameras. This memory card works perfectly with even the most advanced devices to protect your memories for life.

Der Artikel MS2048ABI147 ist eine Speichererweiterung für ABIT A-N68SV, welcher ab Werk mit 0MB RAM ausgestattet ist. Das System ABIT A-N68SV kann maximal auf 4GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 2 Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für ABIT A-N68SV ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des Herstellers. Schneller, besser durch Speicheraufrüstung,

... to JEDEC standard latency DDR3-1333 timing of 9-9-9 at 1.5V. This
204-pin SODIMM uses gold contact fingers.ValueRAM, Kingston's industry
standard memory, delivers award-winning performance and legendary Kingston
reliability. When you know what you want, you want ValueRAM.

Features



JEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply



VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)



667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin



8 independent internal bank



Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6



Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock



Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)



8-bit pre-fetch



Burst Length: 8 (Interleave without any limit), 4 with tCCD = 4 which
does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or
MRS]



Bi-directional Differential Data Strobe



Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin
(RZQ : 240 ohm ± 1%)



On Die Termination using ODT pin



Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
TCASE 95°



Asynchronous Reset



PCB: Height 1.18 inch (30mm), double sided component



Extra Info



Memory Size: 8192MB



Module Size: 8192MB



Memory Type: DDR3



Memory Package: SO-DIMM



Designation: PC3-10600



Pin Configuration: 204 pins



Main Colour: Green

Kurzinfo: G.Skill AEGIS - Memory - 8 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 - 1333 MHz / PC3-10666 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-1333C9S-8GIS Modell AEGIS EAN/UPC Produktbeschreibung: G.Skill AEGIS - Memory - 8 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1333 MHz Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Latenzzeiten CL9 (9-9-9-24) Leistungsmerkmale Dualer Kanal Kühlkörper / Wärmeableitung Versorgungsspannung 1.5 V CAS Latency CL9 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1333 MHz Latenzzeiten CL9 (9-9-9-24) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC RAM-Merkmale Dualer Kanal Kühlkörper / Wärmeableitung CAS Latency CL9 Versorgungsspannung 1.5 V